Kawasaki, Jepang--(ANTARA/BUSINESS WIRE)-- Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") telah meluncurkan “TPH2R70AR5”, sebuah MOSFET daya N-channel 100V yang diproduksi menggunakan U-MOS11-H, proses generasi terbaru Toshiba[1]. MOSFET menargetkan aplikasi seperti catu daya mode switching untuk peralatan industri yang digunakan di pusat data dan stasiun pangkalan komunikasi. Pengiriman dimulai pada hari ini.
Seri U-MOS11-H 100V meningkatkan resistansi-On drain-source (RDS(ON) ), total muatan gate (Qg ) dan trade-off di antara keduanya (RDS(ON) × Qg ) yang dihasilkan oleh proses pembangkitan Toshiba yang ada, seri U-MOSX-H, menurunkan rugi konduksi dan rugi daya switching.
TPH2R70AR5 memiliki RDS(ON) 8% lebih rendah dan Qg 37% lebih rendah bila dibandingkan dengan TPH3R10AQM, sebuah produk seri U-MOSX-H, ditambah 42% peningkatan pada RDS(ON) × Qg . Produk ini juga mencapai performa diode bodi berkecepatan tinggi melalui penerapan teknologi kontrol masa pakai[2] , yang mengurangi muatan recovery terbalik (Qrr ) dan menekan voltase lonjakan. Qrr ditingkatkan sekitar 38% dan RDS(ON) × Qrr juga ditingkatkan sekitar 43%. Karakteristik trade-off[4] yang terdepan di industri ini[3] , baik RDS(ON) × Qg maupun RDS(ON) × Qrr , meminimalkan rugi daya, yang berkontribusi pada efisiensi dan densitas daya yang lebih tinggi dalam sistem catu daya. Produk ini juga menggunakan paket SOP Advance (N) dan memiliki kompatibilitas pemasangan yang sangat baik dengan standar industri.
Toshiba juga menawarkan alat pendukung desain sirkuit: model G0 SPICE, yang memverifikasi fungsi sirkuit dalam waktu singkat; dan model G2 SPICE yang sangat akurat, yang mereproduksi karakteristik transien secara akurat. Kini semuanya tersedia.
Toshiba akan terus memperluas jajaran MOSFET dengan rugi-rendah agar catu daya menjadi lebih efisien dan berkontribusi pada konsumsi daya yang lebih rendah untuk peralatan.
Catatan:
[1] Per bulan September 2025, di antara teknologi proses Toshiba untuk MOSFET daya dengan voltase rendah. Hasil survei Toshiba.
[2] Teknologi kontrol masa pakai: Secara sengaja mempersingkat masa pakai carrier dengan menggunakan sinar ion untuk memasukkan cacat ke dalam semikonduktor, meningkatkan kecepatan switching, yang meningkatkan kecepatan recovery diode dan mengurangi noise.
[3] Per bulan September 2025, perbandingan dengan MOSFET daya N-channel 100V lainnya untuk peralatan industri. Hasil survei Toshiba.
[4] RDS(ON) ×Qg : 120mΩ・nC (tip.), RDS(ON) ・Qrr : 127mΩ×nC (tip.)
Aplikasi
· Catu daya untuk peralatan industri yang digunakan di pusat data dan stasiun pangkalan komunikasi
· Catu daya mode switching (konverter DC-DC berefisiensi tinggi, dsb.)
Fitur
· Resistansi-On drain-source rendah: RDS(ON) =2,7 mΩ (maks.) (VGS =10V, ID =50A, Ta =25°C)
· Muatan gate total rendah: Qg =52nC (tip.) (VDD =50V, VGS =10V, ID =50A, Ta =25°C)
· Muatan recovery terbalik rendah: Qrr =55nC (tip.) (IDR =50A, VGS =0V, -dIDR /dt=100A/μs, Ta =25°C)
Spesifikasi Utama
(Kecuali ditentukan lain, Ta =25°C) | ||||
Nomor komponen | ||||
Peringkat | Voltase drain-source VDSS (V) | 100 | ||
Arus drain (DC) ID (A) | Tc =25°C | 190 | ||
Suhu channel Tch (°C) | 175 | |||
Karakteristik | Resistansi-On | VGS =10V, ID =50A | Maks. | 2,7 |
VGS =8V, ID =50A | Maks. | 3,6 | ||
Total muatan gate | VDD =50V, VGS =10V, | Tip. | 52 | |
Muatan switch | Tip. | 17 | ||
Muatan output Q oss | VDD =50V, VGS =0V, | Tip. | 106 | |
Kapasitansi input | VDS =50V, VGS =0V, | Tip. | 4105 | |
Muatan recovery | IDR =50A, VGS =0V, -dIDR /dt=100A/μs | Tip. | 55 | |
Paket | Nama | SOP Advance(N) | ||
Ukuran (mm) | Tip. | 5,15×6,1 | ||
Pemeriksaan Sampel & Ketersediaan |
Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang produk baru.
TPH2R70AR5
Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang MOSFET Toshiba.
MOSFET
Ikuti tautan di bawah ini untuk informasi lebih lanjut tentang model SPICE yang sangat akurat (model G2).
Model G2
Untuk memeriksa ketersediaan produk baru di distributor online, kunjungi:
TPH2R70AR5
Beli Online
* Nama perusahaan, nama produk, dan nama layanan mungkin merupakan merek dagang masing-masing perusahaan.
* Informasi dalam dokumen ini, termasuk harga dan spesifikasi produk, isi layanan dan informasi kontak, adalah yang terbaru pada saat informasi ini diumumkan, tetapi dapat berubah sewaktu-waktu tanpa pemberitahuan sebelumnya.
Tentang Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation adalah penyedia terkemuka di bidang solusi semikonduktor dan solusi penyimpanan yang canggih. Dengan pengalaman dan inovasi selama lebih dari setengah abad, kini menawarkan semikonduktor diskrit, produk sistem LSI sistem dan HDD yang luar biasa kepada pelanggan dan mitra bisnis.
19.400 karyawan Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation di seluruh dunia memiliki tekad yang sama, yaitu memaksimalkan nilai produk dan mendorong kerja sama erat dengan pelanggan untuk menciptakan nilai dan pasar baru bersama-sama. Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation berharap untuk berkontribusi dan membangun masa depan lebih cerah bagi semua orang di mana saja.
Ketahui lebih lanjut di https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html
Pengumuman ini dianggap sah dan berwenang hanya dalam versi bahasa aslinya. Terjemahan-terjemahan disediakan hanya sebagai alat bantu, dan harus dengan penunjukan ke bahasa asli teksnya, yang adalah satu-satunya versi yang dimaksudkan untuk mempunyai kekuatan hukum.
Tersedia Galeri Multimedia/Foto: https://www.businesswire.com/news/home/20250924029500/en
Contacts
Untuk Pertanyaan dari Pelanggan:
Departemen Penjualan & Pemasaran Perangkat Daya & Perangkat Sinyal Kecil
Telp: +81-44-548-2216
Hubungi Kami
Untuk Pertanyaan dari Media:
C. Nagasawa
Departemen Komunikasi dan Intelijen Pasar
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
[email protected]
Sumber: Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Pewarta: PR Wire
Editor: PR Wire
Copyright © ANTARA 2025
Dilarang keras mengambil konten, melakukan crawling atau pengindeksan otomatis untuk AI di situs web ini tanpa izin tertulis dari Kantor Berita ANTARA.